4年前，半導體行業面臨著一個危機。正當集成電路的設計標準向0.25微米以下發展時，業內人士就意識到了在3年或更短的時間內，當IC達到0.13微米的時候，將會遇到一個技術的屏障，如果不能突破的話，會嚴重影響正在改變全球生活的信息時代的發展速度。
在半導體產業誕生以來的大部分時間里，人們一直采用鋁材料制造集成電路中的微連線或配線。然而在0.13微米的設計標準中，由鋁微連線制造的器件開始在可靠性方面出現問題。惟一的解決辦法就是犧牲器件的性能。大家都知道，半導體設計標準不斷變小的目的之一就是提高器件的性能，而鋁線已經開始成為技術革新的絆腳石。盡管數年前人們就已經知道銅材料在導電方面要優于鋁，但在將銅應用于半導體微連線的制造之前，還需要克服一些技術性挑戰。
迎接挑戰
IBM最早認識到了這一問題的嚴重性，同時也意識到了開發出銅淀積工藝的緊迫性。他們最初的嘗試是負銅離子工藝，但此次嘗試證明了銅蝕刻并不是可行的制造方法。緊接著，IBM公司又開發出了銅/雙Damascene工藝，在理論上實現了采用銅微連線制造芯片。這些芯片在速度、功耗和制造成本等方面顯著優越于鋁材料芯片。最令人振奮的是，銅微連線的應用重新為更小化的設計標準開辟了道路。IBM深知成功應用雙Damascene工藝的關鍵之處是要有一個高產能、高可靠性的銅電化淀積系統，于是IBM開始與諾發公司(Novellus System)，業界領先的半導體淀積技術的供應商合作。1998年6月，諾發公司成功地推出了SABRE Electrofill統，業內第一個用于生產銅線芯片的設備。
在諾發公司和IBM提出銅/雙Damascene微連線概念時，許多業內人士均對該項新技術的需求及生存能力產生質疑。而過去的4年卻讓他們改變了看法。當銅處理工藝已成為半導體生產的主流時，那些當初對此持懷疑態度的業內人士卻開始竭盡所能地在銅市場上搶占領地。
消費者受益
銅材料器件迅速得到普及，利用它所開發的新型便攜式消費電子產品體積變得更小，速度更快，功能更強，同時功耗也更低。回顧一下過去4年中發生在筆記本電腦和手機上的變化：體積、功能及電池壽命的變化就可見一斑。
長期以來，銅/雙Damascene工藝為消費者提供了功能更強大，而價格又合理的電子產品。由于銅在導電方面具備卓越的性能，采用銅微連線的器件在層數上只需達到采用鋁微連線時的一半就可以實現相同的功能。因此，當銅技術的雙Damascene工藝日趨成熟達到相當的水平時，采用銅微連線的器件將會主宰半導體行業。據預測，到2004年，大多數邏輯設備都會采用銅微連線制造。而當銅的成本達到合理的價位時，存儲設備，諸如DRAM(動態隨機存取存儲器)，也將會緊隨其后。
開拓市場空間
銅/雙Damascene工藝的普遍采用極大地改變了半導體市場，并為那些生產銅電鍍和絕緣體淀積設備的公司以及其他半導體設備公司創造了新的增長機會。隨著銅電鍍技術日臻完善，雙Damascene工藝為其他技術提供了新的應用。例如，用于消除淀積后剩余銅化學機械磨平(CMP)，以及用于淀積阻擋層和播種層的物理汽相淀積(PVD)。同時，這一因素也促使一直處于領先地位的鋁工藝去尋找新的市場機會。真正的贏家是那些在半導體制造技術轉變的初期，就抓住了新機會的公司。
自1998年6月以來，諾發公司就受益于其銅技術的成功，收入已翻了一倍多。目前制造業中所使用的大多數銅電鍍工具均來自于諾發公司，使得諾發公司擁有了絕大部分的市場份額。在世界排名前10名的半導體公司中，有9家都采用了諾發的SABRE系統來制造高級邏輯設備，包括微處理器和數字信號處理器(DSP)。
迄今為止，已有超過1500百萬只晶片運行在諾發公司的SABRE系統上。為了滿足不斷增長的需求，諾發又增開了制造工廠，專門生產PECVD和制造高級銅雙Damascene結構所需的電鍍填充設備。當此項技術成為主流的時候，由于較低生產成本和提高產量所帶來的經濟利益，將使得內存制造廠商也加入銅微連線的生產行列。
成為主流
顯然，銅微連線的采用對電子行業產生了深遠的影響，使得業界得以開發出功能更強大、更輕便、更便宜的電子產品，而且這些產品在全球范圍內的產量正在不斷攀升。此外，與鋁材料不同，作為導體原材料，銅將在未來的發展中證明其相當可觀的可擴展性。
目前，從設計角度來看，最先進的生產設備應該是在0.13微米。德州儀器公司(TI)已經開發出了90納米的工藝。在諾發公司的客戶整合中心(CIC)里，經過研發人員的努力，用最優化的銅淀積工具，成功完成了65納米水平以下的銅電鍍集成，德州儀器公司(TI)和諾發公司所取得的成果證明了銅微連線在未來幾代工藝發展中的可擴展性。
每個制造廠都有著獨特的半導體制造工藝，以及優化的產品性能，使其保持競爭優勢。在意識到了支持客戶個別需求的重要性之后，諾發公司創建了其客戶整合中心CIC，該中心和客戶以及一些設備供應商一起緊密合作，根據客戶不同的制造工藝要求解決銅和低K值絕緣體的整合問題，同時力爭每個工藝單元達到完美。這種根據客戶需求的定制方法為半導體行業帶來了相當可觀的利潤，它使得每個公司都可以根據特定的需求優化其銅微連線工藝，而不需要僅依賴于一個統一的解決方案。換而言之，諾發公司提供的銅微連線集成方法使得每個客戶都能保持最佳的競爭優勢，并與競爭對手形成區別。在成功實現了用CIC幫助客戶解決各種銅淀積電化學問題和缺陷的挑戰之后，諾發現在正致力于在CIC建設同樣水平的專門技術，來解決低K值絕緣材料與銅整合的問題。
在引導半導體行業進入銅線時代的進程中，諾發公司扮演了關鍵的角色，并且這種主導地位使公司在銅電鍍市場上受益非淺。然而，諾發公司也意識到了銅電鍍技術僅僅是全部雙Damascene銅微連線技術的一部分。下一步要做的工作是推出高產出、低K值的絕緣體工藝，以及雙Damas-cene制造所需要的其它補充工藝，并將其成功地與銅電鍍技術整合。
通過工藝整合優化性能
利用雙Damascene銅微連線實現最理想的器件性能關鍵取決于降低金屬導體的電阻，并減小金屬線之間絕緣體或絕緣材料的電容。它也取決于如何成功地將這些材料整合到產品化的雙Damascene薄膜堆棧中。
從長遠角度來看，盡管這種方法將會比傳統的鋁結構制造成本要低，但開發起來仍需要面臨挑戰，因為它需要新的工藝(如電化學淀積)；由此產生的新缺陷也需要去識別、分析并清除；需要采用新型的絕緣材料；需要仔細的將極薄的薄膜堆棧進行整合，以確保最佳的可制造性、器件性能和可靠性等。
另外，雙Damascene需要新的制造工藝。在鋁材料為基礎的結構中，通過淀積金屬、腐蝕多余的金屬來形成電路。但在雙Damascene結構中，電路板先被腐蝕成絕緣材料，然后阻隔、播種和銅薄膜被淀積到蝕刻的槽中。多余的材料通過CMP技術進行處理，表面清理干凈了之后，對下一個導電層重復上述過程。
要想成功地將這些不同的工藝過程集成到一個芯片中，需要徹底理解每一個工藝的流程以及和其他工藝流程之間的互相作用、相互影響。在各種淀積過程和最后的封裝過程中，器件經受著相當程度的機械壓力和熱壓。其中任何一個環節引起的損傷都可能破壞器件的絕緣層以導致性能的降低。例如，熱壓就能引起諸如空的淀積銅層或分層(電鍍層之間剝離開)等致命的缺點，這些缺點將會影響器件的可靠性或降低器件的整體性能。
新的低K值絕緣材料也會帶來新的挑戰。用這些材料構建的堆棧往往比高K值材料的堆棧更加柔弱。薄膜的K值越低，薄膜就越柔軟，就越難整合在一起。行業面臨的挑戰之一是如何達到薄膜K值與硬度的最佳組合。例如，諾發公司就曾經推出CORAL薄膜系列，從而成功實現了最佳組合，受到業界的廣泛好評。由于CORAL薄膜優秀的合成品質，現已被業界廣泛應用。
另外，向蝕刻槽中淀積各種薄膜的電化學技術也需要控制。完全整合的失敗，或者形成雙Damascene堆棧的某個環節出現失誤都將導致收益的嚴重降低以及引起器件穩定性問題。
低K值的挑戰
當業內意識到銅微連線的性能必須進行優化，并需要一個可行的低K值絕緣體時，對最優化的低K值方法還沒有達成一致意見，而且薄膜整合也面臨相當嚴峻的挑戰。低K值薄膜合成技術領域問題已經在《國際半導體技術發展藍圖(ITRS)》上有多篇討論。早在1997年，ITRS就預測到2003年，將開發出K值在1.5的高質量產品。現在，距離這一目標的實現還不到一年，業內專家正致力于2.6-3.0范圍合成材料的研發。事實上，在開發低K值絕緣薄膜產品方面，已經比當初1998年ITRS設定的目標落后了6年，開發難度由此可見一斑。
目前，至少有4種不同的方法為各類公司所采用，這4種方法涉及到了不同的材料和淀積工藝。當沒有哪一方有明顯的優勢時，諾發公司的CORAL薄膜已在競爭中獲得明顯的領先地位。和其他產品相比，該薄膜在任何K值條件下均比其他產品要堅硬一些，使其更加容易刻蝕和合成。
未來
半導體行業所經歷的4年是喧囂的。盡管出現過兩次嚴峻的行業低迷時期和最初的業內懷疑時間，諾發公司及其在Damascus聯盟中的合作伙伴，以及富有前瞻性的客戶已經通過漸成主流的雙Damascene銅處理工藝過程成功地完成了半導體制造業的轉型。對于半導體和半導體設備行業，這意味著新的增長機會。對于最終用戶，它意味著出現了更多新型電子器件，改變著我們溝通、工作和娛樂的方式。
今后，將會有其它更另人振奮的半導體技術和功能被開發出來。一旦銅的能量得到了充分的應用，銅導體將會使下一代產品功能更強大、更節約能源，而且還會出現更便宜的通信、計算機和消費電子產品。這將極大地提高生產力，并提高人們的生活品質。
名詞注解
*Chemical Mechanical
Polishing(CMP)：是用漿和墊板將晶片表面變平的工藝。簡單的說，CMP一個晶片就類似于用一個軌道磨砂機將餐桌打磨得更精細。
*Interconnects(微連線)：是嵌入到絕緣膜層的金屬線，將一個集成電路上的數百萬個晶體管連接在一起。
*Copper Damascene/Dual
Damascene：是將電纜溝刻蝕在絕緣材料中的工藝，銅被填充到電纜溝內并且被磨光。這樣導電材料就只能存在于電纜溝內。
*k ＆#118alue the dielectric constant(絕緣體常量k值)：是某個絕緣層或者全部膜層堆棧的電容度量值。
*Dielectrics(絕緣體)：是絕緣材料，用于集成電路上的絕緣。通常所用的材料包括二氧化硅或氮化硅等。
以上信息僅供參考
